Test Parcial 2 Tema 8 C.M
1
Se dispone de una muestra de Si puro con forma de disco cilíndrico de 1 cm de radio y 0.1 cm de grosor. Sabiendo que, a cierta temperatura, σ = 4.4 · 10-4 (Ω·m)-1, la resistencia eléctrica en dirección axial valdrá:
3
La banda de valencia es la banda más externa que contiene electrones incluso a 0K, mientras que la banda de conducción es la banda de menor energía en la que a 0K existen estados vacíos.
4
Cuando un campo eléctrico actúa sobre un metal, los electrones se ven arrastrados
5
De acuerdo con el modelo de Drude, la conductividad eléctrica se calcula como
6
La movilidad del electrón es directamente proporcional a la masa del electrón e inversamente proporcional al tiempo medio entre colisiones.
7
Respecto a la influencia de distintos parámetros sobre la conducción en los conductores, la resistividad viene dada por p = pl + pD + pV, donde:
8
A temperaturas no muy bajas, una de las siguientes afirmaciones referidas a la resistividad de un metal es falsa:
9
La resistividad de un metal aumenta linealmente con la temperatura porque
10
El parámetro denominado razón de resistividad residual, que permite conocer el grado de pureza de un metal, viene dado por (pV + pl )/ pD.
11
A medida que la temperatura se aproxima al cero absoluto, la resistividad de todos los metales tiende a:
12
La conductividad de una solución sólida de dos componentes A y B puede calcularse mediante:
13
Una solución sólida de dos metales tiene una resistividad que es
14
En relación a la conductividad eléctrica de aleaciones Cu-Zn:
15
Bajo la presencia de un campo eléctrico, los huecos en un semiconductor adquieren una velocidad de arrastre:
16
Si, en un semiconductor puro, se generan n electrones de conducción por unidad de volumen, la conductividad eléctrica será proporcional a 2n.
17
La conductividad en un semiconductor viene dada por la ecuación σ = enμe + epμh, donde:
18
La mayor conductividad de los semiconductores frente a los aislantes se debe:
19
Para un semiconductor intrínseco, a temperatura ambiente, la concentración de huecos es de 5·10^16 m^-3. Si, tras un proceso de dopado y a la misma temperatura, la concentración de huecos disminuye a 1·10^8 m^-3, la concentración de electrones deberá valer:
20
En relación a las corrientes debidas a electrones y huecos, la corriente total a través de un semiconductor viene dada por:
21
Cuando se dopa un trozo de silicio con impurezas de arsénico, el semiconductor resultante es extrínseco de tipo p.
22
Cuando se dopa un trozo de silicio con impurezas de aluminio, el semiconductor resultante es extrínseco de tipo p.
23
En un semiconductor extrínseco de tipo n, los portadores de carga son:
24
La concentración intrínseca de portadores depende de la temperatura y es proporcional a:
25
La concentración de los portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:
26
Cada átomo donante en un semiconductor tipo n a temperatura ambiente
27
La dependencia térmica de la conductividad en un semiconductor intrínseco es exponencial, con una energía de activación de EIP/2.
28
Un semiconductor extrínseco, a temperaturas muy bajas, todas las impurezas están ionizadas, por lo que se llega a su región de agotamiento.
29
La movilidad de los portadores en un semiconductor extrínseco:
|
Photosynthesis vs Cellular Respiration - Practice Quiz