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Semiconductores

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Naturaleza de la materia

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Mexico

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    Lira González ivan
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    Juárez García Luis Ángel
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    Uriza Gutierrez_America Estefany
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    Ponce Rios Angel David
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    Muñiz Melgarejo Angel Emiliano
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    Cruz Hernandez Moises Alejandro
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    Higuera Alonso Huber
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    Morales Maciel Kevin Yael
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Semiconductores

Naturaleza de la materia

Alejandro Morales
1

aislante impurezas atómica germanio antimonio N N arsénico déficit dopado P aluminio exceso huecos exceso huecos semiconductores conductores semiconductor silicio silicio

Los eléctricos presentan una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica .
Los permiten fácilmente la circulación de la corriente .
Los se encuentran en una posición intermedia .

La explicación a estas diferencias de conductividad radica en la estructura de la materia .

Se usan dos materiales en la fabricación de los dispositivos semiconductores , los cuales son y germanio .

El átomo de tiene 32 ? orbitando , mientras que el de tiene 14 ? .

Para utilizar al silicio como conductor es preciso adicionarle pequeñas cantidades de , es decir , de elementos químicos cuyo átomo posea 5 o 3 ? de valencia .
Tales impurezas reciben el nombre de y da como resultado un material con de ? libres o bien con deficiencia de ? libres ( exceso de ) .

Para producir estos ? libres se agrega átomos de o de antimonio , cuyos elementos tienen en su última órbita 5 ? de valencia .

Por lo tanto después de mezclar estas impurezas sabremos porque es un semiconductor tipo y tipo P .

Después de mezclar arsénico o al silicio o germanio se obtiene un material con numerosos ? libres ( de ? ) este material recibe el nombre de semiconductor tipo , porque reúne todas las características para operar como un semiconductor .

Por lo contrario se añade ( 3 ? ) al silicio o germanio puros , estos forman enlaces incompletos por falta de un ? , la ausencia de del ? se designa ( de ? ) este material recibe el nombre de semiconductor tipo .