¿Que son las propiedades físicas de los dieléctricos?
A.
Si en el dieléctrico hay átomos de impureza y/o defectos, se generaran portadores de carga libre.
B.
Pertenecen a los sólidos con anchura de la banda de energías prohibidas mayor que 3.5 eV
C.
Son las eléctricas: polarización, conductividad, pérdidas dieléctricas, entre otras
D.
Si hay átomos de impureza y/o defectos, se generaran portadores de carga libre.
2.
¿Que es conductividad eléctrica?
A.
Hay átomos de impureza y/o defectos, se generaran portadores de carga libre.
B.
Pertenecen a los sólidos con anchura de la banda de energías prohibidas mayor que 3.5 eV
C.
Adquieren movimiento y se produce la conductividad. El mecanismo de conducción recibe, el nombre de electrónico.
D.
Son las eléctricas: polarización, conductividad, pérdidas dieléctricas, entre otras. Los dieléctricos se han utilizado como aislantes.
3.
La dependencia de la conductividad eléctrica con la temperatura, en los dieléctricos se describe por la expresión.
A.
σ=σ0e−ΔEkbTσ=σ0e-ΔEkbT
B.
n=2 (2πm*h−2kbT)32e−ΔEkbTn=2 2πm*h-2kbT32e-ΔEkbT
C.
μ=aT−32μ=aT-32
D.
σ=enμn+epμpσ=enμn+epμp
4.
¿Que son los estados localizados relacionados con la superficie?
A.
Es característica de los cristales iónicos, en los cuales la interacción coulombiana es grande, su masa efectiva es millares de veces mayor que los valores de m * característicos de los metales.
B.
Se mueven hacia el ánodo y los cationes hacia el cátodo.
C.
También pueden generarse mediante la absorción de luz de longitud de onda conveniente o de partículas aceleradas.
D.
Suelen existir estados electrónicos asociados a la superficie cuyas energías se localizan en la banda prohibida, entre las bandas de valencia y de conducción del dieléctrico.
5.
¿Que es la absorción de oxígeno en la superficie de un oxido metálico?
A.
Suelen existir estados electrónicos asociados a la superficie cuyas energías se localizan en la banda prohibida, entre las bandas de valencia y de conducción del dieléctrico.
B.
Son especies de oxígeno ionizados, (O 2 - , O - y O -2 ), y permanecen estables en procesos isotérmicos.
C.
Se utilizan frecuentemente en atmósferas de aire para detectar la presencia de pequeñas concentraciones de gases inflamables o tóxicos, por lo que la superficie siempre está expuesta a una presión parcial de oxígeno constante, con una magnitud del orden de 0.2 atm
D.
Se comporta como un semiconductor tipo-n, debido al exceso del metal.
6.
¿Que es la catálisis heterogénea?
A.
Es el conjunto de procedimientos y conocimientos que permiten que la velocidad con la que transcurre una reacción se incremente in-situ.
B.
Se utilizan frecuentemente en atmósferas de aire para detectar la presencia de pequeñas concentraciones de gases inflamables o tóxicos.
C.
Provienen del TiO 2, en la región próxima a la superficie, se crea una región desértica de portadores libres, llamada región de carga espacial o de deserción.
D.
En el proceso de ruptura del cristal, algunos enlaces se rompen, lo que origina que cada átomo en la superficie posea uno o más enlaces no satisfechos.
7.
¿Que es la cinética de reacciones heterogéneas catalizadas?
A.
Es la superficie de un sólido está relacionada a la catálisis heterogénea.
B.
Cualquier reacción que tome lugar en una superficie.
C.
Es un fenómeno químico superficial y que puede actuar como catalizador en un sistema específico dependiendo de su naturaleza química.
D.
Es un proceso isotérmico y en atmósfera.
8.
¿Que son los sensores químicos de gases?
A.
Es eléctrica a determinadas temperaturas y humedad constante.
B.
Es el que se basa en el transistor de efecto campo.
C.
Es un uso de instrumentación química, donde la muestra del gas se lleva a través de un tubo hacia el equipo de análisis.
D.
Es un dispositivo que presenta una respuesta medible de naturaleza eléctrica, magnética, óptica, térmica, etc., cuando la composición química de la atmósfera que lo rodea es alterada.
9.
¿Que es la sensitividad?
A.
Es el obtener mejoras significativas en parámetros de funcionamiento tales como la selectividad del sensor y la sensibilidad a los gases y, además, explorar nuevas y atractivas posibilidades para la monitorización medioambiental.
B.
Es la diferencia de la resistencia eléctrica superficial medida en presencia del gas a detectar, en este caso aire con un exceso de oxígeno, menos la de referencia, medida en aire, y esta diferencia normalizada respecto al valor de la referencia.
C.
Es un proceso isotérmico y en atmósfera controlada.
D.
Es un dispositivo que presenta una respuesta medible de naturaleza eléctrica, magnética, óptica, térmica, etc., cuando la composición química de la atmósfera que lo rodea es alterada.
